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PTFA081501E V1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
PTFA081501E V1 |
| 參數(shù)屬性 | PTFA081501E V1 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭；包裝為托盤(pán)；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 900MHZ H-30248-2 |
| 功能描述 | FET RF 65V 900MHZ H-30248-2 |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-12 9:03:00 |
| 人工找貨 | PTFA081501E V1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PTFA081501E V1規(guī)格書(shū)詳情
簡(jiǎn)介
PTFA081501E V1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA081501E V1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTFA081501E V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GOLDMOS?
- 包裝：
托盤(pán)
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
900MHz
- 增益：
18dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
150W
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-30248-2
- 描述：
FET RF 65V 900MHZ H-30248-2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
NA |
19600 |
一站式BOM配單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ADI |
23+ |
NA |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
315 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
- |
20000 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
500 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
NI-787 |
6000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨 假一賠佰 |
詢價(jià) |
