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PTFA082201F V1數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

PTFA082201F V1

參數(shù)屬性

PTFA082201F V1 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

功能描述

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-12 8:54:00

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PTFA082201F V1規(guī)格書詳情

簡介

PTFA082201F V1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA082201F V1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :PTFA082201F V1

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • 頻率

    :894MHz

  • 增益

    :18dB

  • 電壓 - 測試

    :30V

  • 額定電流

    :10μA

  • 噪聲系數(shù)

    :-

  • 電流 - 測試

    :1.95A

  • 功率 - 輸出

    :220W

  • 電壓 - 額定

    :65V

  • 封裝/外殼

    :2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :H-37260-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價
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22+23+
高頻
8000
新到現(xiàn)貨,只做原裝進口
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Infineon Technologies
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H-37260-2
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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INFINEON/英飛凌
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