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PTFA082201FV4XWSA1數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
PTFA082201FV4XWSA1 |
| 參數(shù)屬性 | PTFA082201FV4XWSA1 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
| 功能描述 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 22:30:00 |
| 人工找貨 | PTFA082201FV4XWSA1價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PTFA082201FV4XWSA1規(guī)格書詳情
簡介
PTFA082201FV4XWSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA082201FV4XWSA1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：PTFA082201FV4XWSA1
- 生產(chǎn)廠家
：Infineon
- 頻率
：894MHz
- 增益
：18dB
- 電壓 - 測試
：30V
- 額定電流
：10μA
- 噪聲系數(shù)
：-
- 電流 - 測試
：1.95A
- 功率 - 輸出
：220W
- 電壓 - 額定
：65V
- 封裝/外殼
：2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭
- 供應(yīng)商器件封裝
：H-37260-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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