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PTFA081501F數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

PTFA081501F

參數(shù)屬性

PTFA081501F 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 864-900 MHz
IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-11 13:30:00

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PTFA081501F規(guī)格書詳情

簡介

PTFA081501F屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA081501F晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFA081501F V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GOLDMOS?

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    900MHz

  • 增益:

    18dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    150W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線

  • 供應商器件封裝:

    H-31248-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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