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PHD18NQ10T中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PHD18NQ10T |
| 功能描述 | isc N-Channel MOSFET Transistor |
| 文件大小 |
299.19 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-10 13:40:00 |
| 人工找貨 | PHD18NQ10T價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PHD18NQ10T規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
PHD18NQ10T
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT Trans MOSFET P-CH 200V 21.5A 3-Pin
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
5000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | |||
PH |
24+ |
SOT428TO-252 |
8866 |
詢價(jià) | |||
恩XP |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
PHI |
24+ |
TO-252 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
PHI |
2022+ |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | |||
PHI |
23+ |
TO-252D-PAK |
125800 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
PHI |
22+ |
SOT-252 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
SOT428TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
