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PHD13003C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PHD13003C
廠商型號

PHD13003C

參數(shù)屬性

PHD13003C 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3

功能描述

NPN power transistor with integrated diode
TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

文件大小

438.34 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

WEEN

中文名稱

瑞能半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 17:52:00

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PHD13003C規(guī)格書詳情

PHD13003C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司制造生產(chǎn)的PHD13003C晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

General description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel emitter-collector diode in a SOT54 (TO-92) plastic package.

Features and benefits

? High typical DC current gain

? Fast switching

? High voltage capability

? Integrated anti-parallel E-C diode

Applications

? Compact fluorescent lamps (CFL)

? Low power electronic lighting ballasts

? Off-line self-oscillating power supplies (SOPS) for battery charging

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PHD13003C,412

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 500mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 1A,2V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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1122+
TO92
30
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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