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PHD12NQ15T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PHD12NQ15T
廠商型號(hào)

PHD12NQ15T

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

文件大小

111.85 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-7-11 22:59:00

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PHD12NQ15T規(guī)格書(shū)詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.

FEATURES

? ’Trench’ technology

? Low on-state resistance

? Fast switching

? Low thermal resistance

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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