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PHD18NQ10T

N-channel TrenchMOS transistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance Applications:- ?d.c.tod.c.converters ?switchedmodepowers

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHD18NQ10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHB18NQ10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHB18NQ10T

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits ?

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PHB18NQ10T

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance Applications:- ?d.c.tod.c.converters ?switchedmodepowers

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP18NQ10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHP18NQ10T

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits H

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PHP18NQ10T

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Lowthermalresistance Applications:- ?d.c.tod.c.converters ?switchedmodepowers

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PHD18NQ10T

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT Trans MOSFET P-CH 200V 21.5A 3-Pin

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
PHI
24+
5000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
PH
24+
SOT428TO-252
8866
詢價
恩XP
16+
NA
8800
誠信經(jīng)營
 詢價
恩XP
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
恩XP
20+
SOT428TO-252
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
PHI
1709+
TO-252/D-
32500
普通
 詢價
PHI
22+
SOT-252
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
恩XP
23+
SOT428TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
恩XP
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
PHI
25+
TO-252
4500
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售!
 詢價
更多PHD18NQ10T供應商 更新時間2025-7-10 11:04:00

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