PHD13005分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PHD13005 |
| 參數(shù)屬性 | PHD13005 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 400V 4A TO220AB |
| 功能描述 | NPN power transistor with integrated diode |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
504.95 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WEEN |
| 中文名稱 | 瑞能半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-6 20:00:00 |
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PHD13005規(guī)格書詳情
PHD13005屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由瑞能半導體科技股份有限公司制造生產(chǎn)的PHD13005晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。
General description
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.
Features and benefits
? Low thermal resistance
? Fast switching
? High voltage capability
? Integrated anti-parallel E-C diode
Applications
? Integrated fluorescent lamp ballasts e.g. high power cluster lamps
? Low Voltage Tungsten Halogen transformers
? Remote fluorescent lamp ballasts
? Self Oscillating Power Supplies
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PHD13005,127
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1V @ 1A，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2A，5V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
TRANS NPN 400V 4A TO220AB
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
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恩XP |
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恩XP |
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TO-220AB |
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恩XP |
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23+ |
TO-220 |
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恩XP |
2022+ |
TO-220 |
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