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PHD108NQ03LT中文資料數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
PHD108NQ03LT |
| 功能描述 | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 文件大小 |
108.63 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-6 18:01:00 |
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General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS? technology.
特性 Features
■Logic level threshold
■Very low on-state resistance
■Lead-free construction
■Low gate charge
Applications
■DC-to-DC converter
■Switch-mode power supplies
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
PHD108NQ03LT
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
TO-252 |
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PHI |
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25+23+ |
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詢(xún)價(jià) | ||
PHI |
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TO252 |
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原裝正品,支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) |
