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PHD108NQ中文資料數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD108NQ
廠商型號

PHD108NQ

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

209.14 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-6 20:36:00

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PHD108NQ規(guī)格書詳情

General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS? technology.

特性 Features

■Logic level threshold

■Very low on-state resistance

■Lead-free construction

■Low gate charge

Applications

■DC-to-DC converter

■Switch-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHD108NQ

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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