PHD108NQ中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
PHD108NQ |
| 功能描述 | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 文件大小 |
209.14 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | 未知制造商 |
| 企業(yè)簡稱 |
恩XP |
| 中文名稱 | 未知制造商 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-12 23:00:00 |
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General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS? technology.
Features
■Logic level threshold
■Very low on-state resistance
■Lead-free construction
■Low gate charge
Applications
■DC-to-DC converter
■Switch-mode power supplies
產(chǎn)品屬性
- 型號：
PHD108NQ
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
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詢價 | ||
PHI |
24+ |
NA/ |
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PHI |
24+ |
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恩XP |
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詢價 | ||
恩XP |
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TO-252 |
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