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NGTB30N60L2WG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
NGTB30N60L2WG |
參數(shù)屬性 | NGTB30N60L2WG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 30A TO247 |
功能描述 | N-Channel IGBT |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
765.89 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ONSEMI |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-2 23:00:00 |
人工找貨 | NGTB30N60L2WG價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NGTB30N60L2WG規(guī)格書詳情
NGTB30N60L2WG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB30N60L2WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NGTB30N60L2WG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.6V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
310μJ(開),1.14mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
100ns/390ns
- 測試條件:
300V,30A,30 歐姆,15V
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 30A TO247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-247 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON |
1444 |
TO-247 |
163 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
PTIF |
P |
9999999999 |
30 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-247 |
163 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2450+ |
8540 |
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詢價(jià) | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2402+ |
TO-2473 |
8324 |
原裝正品!實(shí)單價(jià)優(yōu)! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2473 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |