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NGTB30N60FLWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGTB30N60FLWG |
| 參數(shù)屬性 | NGTB30N60FLWG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A 250W TO247 |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
182.13 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 | ONSEMI |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-2 15:18:00 |
| 人工找貨 | NGTB30N60FLWG價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NGTB30N60FLWG規(guī)格書詳情
NGTB30N60FLWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB30N60FLWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGTB30N60FLWG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
700μJ（開），280μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
83ns/170ns
- 測試條件：
400V，30A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
- 描述：
IGBT 600V 60A 250W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
TO247 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-247 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
TO-247 |
5000 |
全新原裝正品,優(yōu)勢價格 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實單 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
24+ |
TO-247 |
30000 |
原廠正規(guī)渠道現(xiàn)貨、保證原裝正品 |
詢價 |
