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NGTB30N120LWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NGTB30N120LWG
廠商型號(hào)

NGTB30N120LWG

參數(shù)屬性

NGTB30N120LWG 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A TO247

功能描述

IGBT
IGBT 1200V 30A TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

177.65 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 20:00:00

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NGTB30N120LWG規(guī)格書(shū)詳情

NGTB30N120LWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB30N120LWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB30N120LWG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    4.4mJ(開(kāi)),1mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    136ns/360ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
160
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢(xún)價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢(xún)價(jià)
ON
16+
TO-247
150
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
23+
TO-247
27802
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢(xún)價(jià)
ON原裝
25+23+
TO-247
23307
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
onsemi
25+
TO-247-3
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獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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ON Semiconductor
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢(xún)價(jià)
ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
詢(xún)價(jià)