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NGTB30N60FWG分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGTB30N60FWG |
| 參數(shù)屬性 | NGTB30N60FWG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A 167W TO247 |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
182.66 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找貨 | NGTB30N60FWG價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NGTB30N60FWG規(guī)格書詳情
NGTB30N60FWG屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NGTB30N60FWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGTB30N60FWG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，30A
- 開關能量：
650μJ（開），650μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
81ns/190ns
- 測試條件：
400V，30A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 60A 167W TO247
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
990 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
PTIF |
P |
SCP0000001 |
30 |
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ON/安森美 |
2450+ |
8540 |
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1983 |
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ON/安森美 |
23+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
2402+ |
TO-2473 |
8324 |
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ON Semiconductor |
22+ |
TO247 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
onsemi |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
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ON Semiconductor |
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