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NGTB30N120L2WG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGTB30N120L2WG |
| 參數(shù)屬性 | NGTB30N120L2WG 包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 60A 534W TO247 |
| 功能描述 | IGBT - Field Stop II |
| 文件大小 |
105.94 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) | ONSEMI |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找貨 | NGTB30N120L2WG價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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NGTB30N120L2WG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB30N120L2WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGTB30N120L2WG
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 描述：
IGBT 1200V 60A 534W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3280 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢(xún)價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||||
ON |
1824 |
TO-247 |
30 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
PTIF |
P |
9999999999 |
2 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢(xún)價(jià) | ||
ON原裝 |
25+23+ |
TO-247 |
23307 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-247 |
30 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢(xún)價(jià) | ||
ON Semiconductor |
23+ |
TO247 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
27802 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-247 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO247 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢(xún)價(jià) |
