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NFAQ1060L33T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

NFAQ1060L33T

參數(shù)屬性

NFAQ1060L33T 封裝/外殼為38-PowerDIP 模塊(0,610",24,00mm),24 引線;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:MOD IPM INV 600V 10A 38DIP

功能描述

Intelligent Power Module (IPM) 600 V, 10 A
MOD IPM INV 600V 10A 38DIP

封裝外殼

38-PowerDIP 模塊(0,610",24,00mm),24 引線

文件大小

588.05 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-20 23:01:00

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NFAQ1060L33T規(guī)格書(shū)詳情

NFAQ1060L33T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的NFAQ1060L33T功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NFAQ1060L33T

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 類(lèi)型:

    IGBT

  • 配置:

    三相反相器

  • 電壓 - 隔離:

    2000Vrms

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    38-PowerDIP 模塊(0,610",24,00mm),24 引線

  • 描述:

    MOD IPM INV 600V 10A 38DIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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