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NFAM5065L4B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

NFAM5065L4B

參數(shù)屬性

NFAM5065L4B 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊;產(chǎn)品描述:3 PHASE INVERTER IPM

功能描述

Intelligent Power Module (IPM), 650 V, 50 A
3 PHASE INVERTER IPM

封裝外殼

39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線

文件大小

457.52 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-20 23:01:00

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NFAM5065L4B規(guī)格書詳情

NFAM5065L4B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊。由安森美半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的NFAM5065L4B功率驅(qū)動器模塊功率驅(qū)動器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NFAM5065L4B

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 類型:

    IGBT

  • 配置:

    三相反相器

  • 電壓 - 隔離:

    2500Vrms

  • 封裝/外殼:

    39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線

  • 描述:

    3 PHASE INVERTER IPM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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