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NFAM2012L5B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
NFAM2012L5B |
參數(shù)屬性 | NFAM2012L5B 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:MOD IPM 3-PH INVERTER 29DIP |
功能描述 | Intelligent Power Module (IPM) 1200 V, 20 A |
封裝外殼 | 39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線 |
文件大小 |
487.55 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-20 23:01:00 |
人工找貨 | NFAM2012L5B價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NFAM2012L5B規(guī)格書詳情
NFAM2012L5B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的NFAM2012L5B功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NFAM2012L5B
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊
- 包裝:
卷帶(TR)
- 類型:
IGBT
- 配置:
三相反相器
- 電壓 - 隔離:
2500Vrms
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),29 引線
- 描述:
MOD IPM 3-PH INVERTER 29DIP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
DIP-39 |
970 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
DIP-39 |
9850 |
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
DIP-39 |
90 |
21+ |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
DIP39, 54.50x31.00x5.60, 1.78P |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
21+ |
75 |
只做原裝,優(yōu)勢(shì)渠道 ,歡迎實(shí)單聯(lián)系 |
詢價(jià) | |||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
原封裝 |
32500 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
DIP-39 |
20000 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
DIP-39 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) |