首頁(yè)>NFAM3065L4BT>規(guī)格書(shū)詳情
NFAM3065L4BT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
NFAM3065L4BT |
參數(shù)屬性 | NFAM3065L4BT 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),30 引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:IPM 650V 30A |
功能描述 | Intelligent Power Module (IPM), 650 V, 30 A |
封裝外殼 | 39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),30 引線 |
文件大小 |
286.78 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-20 23:01:00 |
人工找貨 | NFAM3065L4BT價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NFAM3065L4BT規(guī)格書(shū)詳情
NFAM3065L4BT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的NFAM3065L4BT功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NFAM3065L4BT
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊
- 包裝:
托盤
- 類型:
IGBT
- 配置:
三相反相器
- 電壓 - 隔離:
2500Vrms
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),30 引線
- 描述:
IPM 650V 30A
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
DIP-39(31 |
970 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON |
20+ |
IPM |
5 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
DIP39, 54.50x31.00x5.60, 1.78P |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
21+ |
75 |
只做原裝,優(yōu)勢(shì)渠道 ,歡迎實(shí)單聯(lián)系 |
詢價(jià) | |||
ON(安森美) |
2447 |
39-PowerDIP |
115000 |
90個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
25+ |
DIP-39 |
500000 |
源自原廠成本,高價(jià)回收工廠呆滯 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
2511 |
DIP-39 |
4505 |
電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
N/A |
73000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) |