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NFAM3065L4BTL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NFAM3065L4BTL |
| 參數(shù)屬性 | NFAM3065L4BTL 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），29 引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊；產(chǎn)品描述：MOD IPM 3PH INVERTER |
| 功能描述 | Intelligent Power Module (IPM) 650 V, 30 A |
| 封裝外殼 | 39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），29 引線 |
| 文件大小 |
262.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-20 23:00:00 |
| 人工找貨 | NFAM3065L4BTL價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NFAM3065L4BTL規(guī)格書詳情
NFAM3065L4BTL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊。由安森美半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的NFAM3065L4BTL功率驅(qū)動器模塊功率驅(qū)動器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NFAM3065L4BTL
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊
- 包裝：
卷帶（TR）
- 類型：
IGBT
- 配置：
三相反相器
- 電壓 - 隔離：
2500Vrms
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），29 引線
- 描述：
MOD IPM 3PH INVERTER
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | |||
ON |
20+ |
IPM |
5 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
ON |
24+ |
DIP39, 54.50x31.00x5.60, 1.78P |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價 | ||
onsemi |
21+ |
22 |
只做原裝,優(yōu)勢渠道 ,歡迎實單聯(lián)系 |
詢價 | |||
ON(安森美) |
25+ |
DIP-39 |
500000 |
源自原廠成本,高價回收工廠呆滯 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
2447 |
39-PowerDIP |
115000 |
90個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
2511 |
DIP-39 |
4505 |
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詢價 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
onsemi |
2025+ |
DIP-39 |
55740 |
詢價 | |||
80000 |
詢價 |
