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NE425S01-T1B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NE425S01-T1B |
| 功能描述 | C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
57.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-1 20:07:00 |
| 人工找貨 | NE425S01-T1B價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE425S01-T1B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE425S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.60 dB TYP., Ga = 12.0 dB TYP. at f = 12 GHz
? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm
? Gate Width : Wg = 200 μm
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE425S01-T1B
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
10+ |
SO86 |
1500 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
NA/ |
4415 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅！！ |
詢價(jià) | ||
NEC |
1815+ |
SO86 |
6528 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SO86 |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+23+ |
SO86 |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
24+ |
十字架 |
16900 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2023+ |
SO86 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
25+23+ |
SO86 |
29176 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價(jià) |
