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NE4210S01-T1B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE4210S01-T1B |
| 參數(shù)屬性 | NE4210S01-T1B 封裝/外殼為4-SMD；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：HJ-FET 13DB S01 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 4-SMD |
| 文件大小 |
199.83 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-31 20:00:00 |
| 人工找貨 | NE4210S01-T1B價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE4210S01-T1B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
? Gate Length: Lg ￡ 0.20 mm
? Gate Width : Wg = 160 mm
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
NE4210S01-T1B
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
13dB
- 額定電流（安培）：
15mA
- 噪聲系數(shù)：
0.5dB
- 封裝/外殼：
4-SMD
- 供應(yīng)商器件封裝：
SMD
- 描述：
HJ-FET 13DB S01
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
47 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
STM86 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SMT-86 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
18+ |
SMT-86 |
3500 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
SMD |
4000 |
詢價(jià) | |||
NEC |
23+ |
SMT86 |
734 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
SMT-86 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
24+ |
SMD |
5270 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||
NEC |
25+23+ |
38214 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
