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NE4210S01-T1B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE4210S01-T1B
廠商型號(hào)

NE4210S01-T1B

參數(shù)屬性

NE4210S01-T1B 封裝/外殼為4-SMD;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:HJ-FET 13DB S01

功能描述

SUPER LOW NOISE HJ FET
HJ-FET 13DB S01

封裝外殼

4-SMD

文件大小

252.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-7-31 20:00:00

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NE4210S01-T1B規(guī)格書詳情

NE4210S01-T1B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE4210S01-T1B晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

DESCRIPTION

NECS NE4210S01 is a pseudomorphic Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AIGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. The device features mushroom shaped TiAl gates for decreased gate resistance and improved power handling. Its excellent low noise figure and high associated gain make it suitable for DBS and commercial systems. The NE4210S01 is housed in a low cost plastic package which is available in tape and reel.

FEATURES

? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.50 dB TYP at f = 12 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN: 13.0 dB TYP at f = 12 GHz

? GATE LENGTH: LG ≤ 0.20 μm

? GATE WIDTH: WG = 160 μm

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE4210S01-T1B

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    13dB

  • 額定電流(安培):

    15mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.5dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMD

  • 描述:

    HJ-FET 13DB S01

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
24+
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