NE425S01中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NE425S01 |
| 功能描述 | C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
52.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-1 20:07:00 |
| 人工找貨 | NE425S01價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE425S01規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE425S01 is a Hetero-Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and other commercial applications.
NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.
FEATURES
? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.60 dB TYP at 12 GHz
? HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.0 dB TYP at f = 12 GHz
? GATE LENGTH: ≤ 0.20 μm
? GATE WIDTH: 200 μm
? LOW COST PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NE425S01
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
10+ |
SO86 |
1500 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
NA/ |
2000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
NEC |
25+ |
SMD |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅?。?/div> |
詢價 | ||
NEC |
2016+ |
SMD |
6000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
3000 |
全新原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢庫存 |
詢價 | ||
NEC |
2003 |
SO86 |
464 |
詢價 | |||
NEC |
2223+ |
SMT-86 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
26200 |
原裝現(xiàn)貨,誠信經(jīng)營! |
詢價 | ||
NEC |
1815+ |
SO86 |
6528 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十! |
詢價 |
