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NE425S01中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE425S01
廠商型號

NE425S01

功能描述

C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

57.5 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-26 23:00:00

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NE425S01規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE425S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.60 dB TYP., Ga = 12.0 dB TYP. at f = 12 GHz

? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm

? Gate Width : Wg = 200 μm

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE425S01

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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