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NE3516S02-T1C-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3516S02-T1C-A |
| 參數(shù)屬性 | NE3516S02-T1C-A 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
333.21 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-3 13:18:00 |
| 人工找貨 | NE3516S02-T1C-A價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE3516S02-T1C-A規(guī)格書詳情
NE3516S02-T1C-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3516S02-T1C-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE3516S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
N 溝道 GaAs HJ-FET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
14dB
- 額定電流（安培）：
60mA
- 噪聲系數(shù)：
0.35dB
- 功率 - 輸出：
165mW
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
S02
- 描述：
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
20+ |
SMT-86 |
2038 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
23+ |
SMT-86 |
2038 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
2511 |
SMT-86 |
2038 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | ||
SMT-86 |
23+ |
RENESAS |
26000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2447 |
STM-86 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SMT-86 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
CEL |
22+ |
S03 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
TransJFET |
56520 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
S03 |
2000 |
詢價(jià) | |||
NEC |
24+ |
SMT-86 |
3879 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢價(jià) |
