NE3515S02分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3515S02 |
| 參數(shù)屬性 | NE3515S02 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| 功能描述 | X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
225.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 | RENESAS |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找貨 | NE3515S02價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
NE3515S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
12.5dB
- 額定電流（安培）：
88mA
- 噪聲系數(shù)：
0.3dB
- 功率 - 輸出：
14dBm
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
S02
- 描述：
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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S02 |
2000 |
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