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NE3514S02-T1C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NE3514S02-T1C |
| 參數(shù)屬性 | NE3514S02-T1C 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 功能描述 | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
269.67 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-4 9:37:00 |
| 人工找貨 | NE3514S02-T1C價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE3514S02-T1C規(guī)格書詳情
NE3514S02-T1C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3514S02-T1C晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NE3514S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
20GHz
- 增益：
10dB
- 額定電流（安培）：
70mA
- 噪聲系數(shù)：
0.75dB
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 10DB S02
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
2223+ |
SMD |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn) |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
SMT-86 |
54815 |
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詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
2023+ |
SMD |
6895 |
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
CEL |
22+ |
S02 |
9000 |
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詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
21+ |
SMT86 |
10000 |
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu) |
詢價(jià) | ||
NEC |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價(jià) | ||
Renesas |
20+ |
SMD |
1648 |
20+ |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
26000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
1301+ |
SMT86 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SMD |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
