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NE3514S02-T1C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3514S02-T1C |
| 參數(shù)屬性 | NE3514S02-T1C 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 功能描述 | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
269.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-3 17:30:00 |
| 人工找貨 | NE3514S02-T1C價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE3514S02-T1C規(guī)格書詳情
NE3514S02-T1C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3514S02-T1C晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE3514S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
20GHz
- 增益：
10dB
- 額定電流（安培）：
70mA
- 噪聲系數(shù)：
0.75dB
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 10DB S02
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
20+ |
SMD |
1648 |
20+ |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
1301+ |
SMT86 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
CEL |
2022+ |
S02 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
2023+ |
SMD |
6895 |
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
RENESAS/原裝 |
24+ |
SMD |
16900 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實單 |
詢價 | ||
RENESAS |
21+ |
SMT86 |
1458 |
只做原裝正品,不止網(wǎng)上數(shù)量,歡迎電話微信查詢! |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
10+ |
SMT-86 |
10000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
2223+ |
SMD |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險 |
詢價 | ||
RENESAS/曠遠原裝 |
2023+ |
SMD |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價 |
