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NE3515S02-T1C-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NE3515S02-T1C-A
廠商型號(hào)

NE3515S02-T1C-A

參數(shù)屬性

NE3515S02-T1C-A 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

415.03 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

CEL

中文名稱(chēng)

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
CEL
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-3 11:20:00

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NE3515S02-T1C-A規(guī)格書(shū)詳情

NE3515S02-T1C-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3515S02-T1C-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

FEATURES

? Super low noise figure, high associated gain and middle output power

NF = 0.3 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 2 V, ID = 10 mA

PO (1dB) = +14 dBm TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 3 V, ID = 25 mA set (Non-RF)

? Micro-X plastic (S02) package

APPLICATIONS

? X to Ku-band local buffer amplifier, PA driver amplifier, low noise amplifier, mixer

? DBS LNB, VSAT

? Other X to Ku-band communication systems

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE3515S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    HFET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 額定電流(安培):

    88mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.3dB

  • 功率 - 輸出:

    14dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    S02

  • 描述:

    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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