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NE3514S02-T1D-A中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE3514S02-T1D-A
廠商型號

NE3514S02-T1D-A

功能描述

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

269.67 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
CEL
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-3 11:16:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE3514S02-T1D-A

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
24+
BGA
9600
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24+
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25000
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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NEC
21+
SMD
10000
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu)
詢價(jià)