LET9150數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
LET9150 |
| 參數(shù)屬性 | LET9150 封裝/外殼為M246；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 80V 20A M-246 |
| 功能描述 | 150W 32V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package |
| 封裝外殼 | M246 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 10:20:00 |
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更多LET9150規(guī)格書詳情
描述 Description
The LET9150 is a common source n-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2 GHz.
特性 Features
? Excellent thermal stability
? Common source configuration push-pull
? POUT = 150 W with 20 dB gain @ 860 MHz
? BeO-free package
簡(jiǎn)介
LET9150屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的LET9150晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
LET9150
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
860MHz
- 增益：
20dB
- 額定電流（安培）：
20A
- 功率 - 輸出：
150W
- 封裝/外殼：
M246
- 供應(yīng)商器件封裝：
M246
- 描述：
MOSFET N-CH 80V 20A M-246
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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