LET9070CB數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
LET9070CB |
| 參數(shù)屬性 | LET9070CB 封裝/外殼為M243；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：MOSF RF N CH 80V 12A M243 |
| 功能描述 | 70W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | M243 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-17 21:14:00 |
| 人工找貨 | LET9070CB價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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描述 Description
The LET9070CB is a common source N-channel enhancement mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The LET9070CB is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for base station applications requiring high linearity.
特性 Features
? Excellent thermal stability
? Common source configuration
? POUT (@ 28 V)= 70 W with 16 dB gain @ 945 MHz
? BeO free package
? In compliance with the 2002/95/EC European directive
? Bidirectional ESD
簡介
LET9070CB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的LET9070CB晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
LET9070CB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
16dB
- 額定電流（安培）：
12A
- 功率 - 輸出：
80W
- 封裝/外殼：
M243
- 供應(yīng)商器件封裝：
M243
- 描述：
MOSF RF N CH 80V 12A M243
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2023+ |
M250 |
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詢價(jià) | ||
ST |
2025+ |
M243 |
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詢價(jià) | ||
ST |
2447 |
SMD |
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STMicroelectronics |
2022+ |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
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詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
M243 |
7000 |
詢價(jià) | |||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST |
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STMicroelectronics |
23+ |
M250 |
50000 |
只做原裝正品 |
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ST |
25+ |
原廠原封 |
16900 |
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詢價(jià) |
