LET9045數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

廠商型號 |
LET9045 |
參數(shù)屬性 | LET9045 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線);包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A |
功能描述 | 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package |
封裝外殼 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線) |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-17 21:14:00 |
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特性 Features
? In compliance with the 2002/95/EC european directive
? Excellent thermal stability
? POUT = 45 W with 18.5 dB gain @ 960 MHz / 28 V
? Common source configuration
? ESD protection
? Plastic package
簡介
LET9045屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的LET9045晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號:
LET9045
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
960MHz
- 增益:
17.5dB
- 額定電流(安培):
9A
- 功率 - 輸出:
59W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)
- 供應(yīng)商器件封裝:
PowerSO-10RF(成形引線)
- 描述:
TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2023+ |
PowerSO-10RF |
1800 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
M243 |
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ST |
2025+ |
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ST |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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STMicroelectronics |
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