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IXBH10N300HV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IXBH10N300HV |
| 參數(shù)屬性 | IXBH10N300HV 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 3000V 20A 140W TO247AD |
| 功能描述 | High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
267.01 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-15 14:24:00 |
| 人工找貨 | IXBH10N300HV價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IXBH10N300HV規(guī)格書詳情
IXBH10N300HV屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXBH10N300HV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXBH10N300HV
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
BIMOSFET?
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，10A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
36ns/100ns
- 測試條件：
960V，10A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-263HV
- 描述：
IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8000 |
原裝，正品 |
詢價 | ||
IXYS |
17+ |
TO-247 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
5000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價 | ||
IXYS |
18+ |
TO-247 |
150 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
TO263 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
1125 |
TO-247 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS/Littelfuse |
23+ |
TO-247 |
15800 |
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷 |
詢價 |
