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IXBF10N300C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IXBF10N300C |
參數(shù)屬性 | IXBF10N300C 封裝/外殼為i4-Pac?-5(3 引線);包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4 |
功能描述 | High Voltage, High Frequency, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
封裝外殼 | i4-Pac?-5(3 引線) |
文件大小 |
226.54 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IXYS |
中文名稱 | 艾賽斯 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-15 13:01:00 |
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IXBF10N300C規(guī)格書詳情
IXBF10N300C屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXBF10N300C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IXBF10N300C
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
BIMOSFET?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
6V @ 15V,10A
- 開關能量:
7.2mJ(開),1.04mJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
32ns/390ns
- 測試條件:
1500V,10A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
i4-Pac?-5(3 引線)
- 供應商器件封裝:
ISOPLUS i4-PAC?
- 描述:
IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/LITTELFUSE |
2015 |
I4-PAK |
15800 |
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
ISOPLUSi4-PAC-3 |
10000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
69000 |
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IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS |
25+ |
25000 |
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詢價 | |||
IXYS |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術支持 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS i4PAC? |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS/艾賽斯 |
21+ |
NA |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |