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IXBF10N300C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBF10N300C
廠商型號

IXBF10N300C

參數(shù)屬性

IXBF10N300C 封裝/外殼為i4-Pac?-5(3 引線);包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4

功能描述

High Voltage, High Frequency, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4

封裝外殼

i4-Pac?-5(3 引線)

文件大小

226.54 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-15 13:01:00

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IXBF10N300C規(guī)格書詳情

IXBF10N300C屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXBF10N300C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXBF10N300C

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    6V @ 15V,10A

  • 開關能量:

    7.2mJ(開),1.04mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    32ns/390ns

  • 測試條件:

    1500V,10A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    i4-Pac?-5(3 引線)

  • 供應商器件封裝:

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述:

    IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/LITTELFUSE
2015
I4-PAK
15800
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
ISOPLUSi4-PAC-3
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
24+
N/A
69000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
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25+
25000
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IXYS
25+
電聯(lián)咨詢
7800
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IXYS
22+
ISOPLUS i4PAC?
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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IXYS
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IXYS/艾賽斯
21+
NA
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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