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IXBF40N160分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBF40N160
廠商型號(hào)

IXBF40N160

參數(shù)屬性

IXBF40N160 封裝/外殼為i4-Pac?-5(3 引線);包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1600V 28A 250W I4PAC

功能描述

High Voltage BIMOSFET
IGBT 1600V 28A 250W I4PAC

封裝外殼

i4-Pac?-5(3 引線)

文件大小

99.08 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-9 23:00:00

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IXBF40N160規(guī)格書詳情

IXBF40N160屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBF40N160晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

High Voltage BIMOSFET? in High Voltage ISOPLUS i4-PAC?

Monolithic Bipolar MOS Transistor

特性 Features

? High Voltage BIMOSFETTM

- substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop

- fast switching for high frequency operation

- reverse conduction capability

? ISOPLUS i4-PACTM high voltage package

- isolated back surface

- enlarged creepage towards heatsink

- enlarged creepage between high voltage pins

- application friendly pinout

- high reliability

- industry standard outline

Applications

? switched mode power supplies

? DC-DC converters

? resonant converters

? lamp ballasts

? laser generators, x ray generators

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXBF40N160

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    托盤

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    7.1V @ 15V,20A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件:

    960V,25A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    i4-Pac?-5(3 引線)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述:

    IGBT 1600V 28A 250W I4PAC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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