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IXBA12N300HV中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IXBA12N300HV
廠商型號(hào)

IXBA12N300HV

功能描述

High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

文件大小

253.8 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 17:36:00

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IXBA12N300HV規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

● High Voltage Package

● High Blocking Voltage

● Anti-Parallel Diode

● Low Conduction Losses

Advantages

● Low Gate Drive Requirement

● High Power Density Applications:

● Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

● Uninterruptible Power Supplies (UPS)

● Laser Generators

● Capacitor Discharge Circuits

● AC Switches

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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