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IXBA16N170AHV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBA16N170AHV
廠商型號

IXBA16N170AHV

參數(shù)屬性

IXBA16N170AHV 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:REVERSE CONDUCTING IGBT

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
REVERSE CONDUCTING IGBT

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

168.96 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 9:36:00

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IXBA16N170AHV規(guī)格書詳情

IXBA16N170AHV屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBA16N170AHV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

? High Voltage Package

? High Blocking Voltage

? Anti-Parallel Diode

? Low Conduction Losses

Advantages

? Low Gate Drive Requirement

? High Power Density

Applications:

? Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? Laser Generators

? Capacitor Discharge Circuits

? AC Switches

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXBA16N170AHV

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    6V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    2.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    15ns/250ns

  • 測試條件:

    1360V,10A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263HV

  • 描述:

    REVERSE CONDUCTING IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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