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IS43DR16640B-25EBL	文件：548.81 Kbytes Page：28 Pages	1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS43DR16640B-25EBL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25EBLI	文件：548.81 Kbytes Page：28 Pages	1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS43DR16640B-25EBLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25EBL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：84-TFBGA；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBI	文件：548.81 Kbytes Page：28 Pages	1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS43DR16640B-25DBL	文件：548.81 Kbytes Page：28 Pages	1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS43DR16640B-25DBLI	文件：548.81 Kbytes Page：28 Pages	1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IS43DR16640B-25EBL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術(shù)：
SDRAM - DDR2
存儲容量：
1Gb（64M x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
15ns
電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.9V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
84-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
84-TWBGA（8x12.5）
描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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