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IS43DR16640B-25DBLI

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR16640B-25DBLI

Package：84-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-25DBLI-TR

Package：84-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-25DBI

1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR16640B-25DBL

1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR16640B-25EBL

1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR16640B-25EBLI

1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS43DR16640B-25DBLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    1Gb（64M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    84-TWBGA（8x12.5）

  • 描述：

    IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
24+
BGA-84
6358
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!!
 詢價(jià)
ISSI
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BGA
2601
原廠原裝正品
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ISSI
24+
BGA
23000
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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ISSI(美國芯成)
24+
BGA-84
13048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
 詢價(jià)
ISSI
2430+
BGA
8540
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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BGA
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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只做原裝進(jìn)口,假一罰十
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專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價(jià)代理特價(jià)，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品
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BGAQFP
8659
原裝公司現(xiàn)貨!原裝正品價(jià)格優(yōu)勢.
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更多IS43DR16640B-25DBLI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 19:00:00

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