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IS43DR16640B-25DBL

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR16640B-25DBL

Package：84-TFBGA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-25DBLI

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR16640B-25DBLI-TR

Package：84-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-25DBL-TR

Package：84-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-25EBL

1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR16640B-25EBLI

1Gb(x8,x16)DDR2SDRAM

FEATURES ?Clockfrequencyupto400MHz ?8internalbanksforconcurrentoperation ?4‐bitprefetcharchitecture ?ProgrammableCASLatency:3,4,5,6and7 ?ProgrammableAdditiveLatency:0,1,2,3,4,5 and6 ?WriteLatency=ReadLatency‐1 ?ProgrammableBurstSequence:Sequential

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS43DR16640B-25DBL

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（64M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    84-TWBGA（8x12.5）

  • 描述：

    IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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BGA-84
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原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!!
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專業(yè)配單原裝正品假一罰十
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多IS43DR16640B-25DBL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 19:00:00

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