首頁>IRG4RC10UPBF>規(guī)格書詳情
IRG4RC10UPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4RC10UPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRG4RC10UPBF 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
654.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-11 23:39:00 |
| 人工找貨 | IRG4RC10UPBF價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4RC10UPBF規(guī)格書詳情
特性 Features
? UltraFast: Optimized for high operating frequencies (8-40 kHz in hard swiching, > 200 kHz in resonant mode)
? Generation 4 IGBT design provides tigher parameter distribution and higher efficiency than previous generation
? Industry standard TO-252AA package
? Lead-Free
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4RC10UPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，5A
- 開關(guān)能量：
80μJ（開），160μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
19ns/116ns
- 測試條件：
480V，5A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
22829 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
IR |
10+ |
TO-252 |
19579 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
28000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
25+23+ |
TO-252 |
28697 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
19579 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
12800 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
IR |
23+24 |
TO-252 |
29840 |
主營MOS管,二極.三極管,肖特基二極管.功率三極管 |
詢價 |
