IRG4RC10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRG4RC10 |
參數(shù)屬性 | IRG4RC10 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A) |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
120.87 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-11 17:02:00 |
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IRG4RC10規(guī)格書詳情
特性 Features
? Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C
? Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)
? Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation
? Industry standard TO-252AA package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4RC10KD
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.62V @ 15V,5A
- 開關(guān)能量:
250μJ(開),140μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
49ns/97ns
- 測試條件:
480V,5A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
D-Pak
- 描述:
IGBT 600V 9A 38W DPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-252 |
28000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
30000 |
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TO-252 |
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IR |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
IRG4RC10UDTRR |
4515 |
4515 |
詢價 | ||||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+/25+ |
750 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 |
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