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IRG4RC10S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4RC10S
廠商型號

IRG4RC10S

參數(shù)屬性

IRG4RC10S 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 38W DPAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

120.87 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-11 15:23:00

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IRG4RC10S規(guī)格書詳情

特性 Features

? Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C

? Standard: Optimized for minimum saturation

voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

? Industry standard TO-252AA package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4RC10SDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,8A

  • 開關(guān)能量:

    310μJ(開),3.28mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    76ns/815ns

  • 測試條件:

    480V,8A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 38W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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