IRG4RC10U分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRG4RC10U |
參數(shù)屬性 | IRG4RC10U 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 8.5A 38W DPAK |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
131.31 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-11 23:39:00 |
人工找貨 | IRG4RC10U價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4RC10U規(guī)格書詳情
特性 Features
? UltraFast: Optimized for high operating frequencies ( 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode)
? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation
? Industry standard TO-252AA package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
? IGBTs optimized for specified application conditions
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4RC10UDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,5A
- 開關能量:
140μJ(開),120μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
40ns/87ns
- 測試條件:
480V,5A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
D-Pak
- 描述:
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
16998 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
SOT252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-252 |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實單必成 歡迎詢價 |
詢價 | ||
ir |
2023+ |
原廠封裝 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-252 |
6528 |
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
14+ |
TO-252 |
828 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
D-PAK |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
2000 |
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
IR |
10+ |
TO-252 |
19579 |
詢價 |