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IRG4RC10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4RC10
廠商型號(hào)

IRG4RC10
參數(shù)屬性

IRG4RC10 封裝/外殼為T(mén)O-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

190.21 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商

IRF
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-11 19:26:00
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IRG4RC10規(guī)格書(shū)詳情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

特性 Features

? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high switching speed

? Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4RC10KD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.62V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    250μJ（開(kāi)），140μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    49ns/97ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 9A 38W DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
20+
DPAK
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
IR
24+/25+
750
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
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IR
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TO-252
28000
原裝正品
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IR
21+
TO-252
30000
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅
 詢價(jià)

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