IRG4PH50U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IRG4PH50U |
參數(shù)屬性 | IRG4PH50U 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
134.14 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-13 10:58:00 |
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IRG4PH50U規(guī)格書詳情
特性 Features
? UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
? New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
? Optimized for power conversion; SMPS, UPS
and welding
? Industry standard TO-247AC package
Benefits
? Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
? Highest efficiency available
? Much lower conduction losses than MOSFETs
? More efficient than short circuit rated IGBTs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRG4PH50UPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.7V @ 15V,24A
- 開關(guān)能量:
530μJ(開),1.41mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
35ns/200ns
- 測(cè)試條件:
960V,24A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
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