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首頁>IRG4PH50S>規(guī)格書詳情

IRG4PH50S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PH50S
廠商型號(hào)

IRG4PH50S

參數(shù)屬性

IRG4PH50S 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 57A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A)

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

130.71 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-13 13:18:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PH50SPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,33A

  • 開關(guān)能量:

    1.8mJ(開),19.6mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    32ns/845ns

  • 測(cè)試條件:

    960V,33A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 57A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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