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首頁(yè)>IRG4PH50>規(guī)格書詳情

IRG4PH50分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PH50
廠商型號(hào)

IRG4PH50
參數(shù)屬性

IRG4PH50 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

229.82 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商

IRF
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-11 22:51:00
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IRG4PH50規(guī)格書詳情

特性 Features

? UltraFast: Optimized for high operating

frequencies up to 40 kHz in hard switching,

>200 kHz in resonant mode

? New IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard TO-247AC package

Benefits

? Higher switching frequency capability than

competitive IGBTs

? Highest efficiency available

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4PH50KPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.5V @ 15V，24A

  • 開關(guān)能量：

    1.21mJ（開），2.25mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    36ns/200ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，24A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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